ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ И МАТЕРИАЛЫ

Материалы

Подложка карбида кремния SiC

Монокристаллический SiC используют для изготовления радиационно-стойких светодиодов, обладающих очень высокой надежностью и стабильностью работы. Его можно использовать для изготовления высокотемпературных силовых полупроводниковых приборов, полевых транзисторов, туннельных диодов, счетчиков частиц высокой энергии, терморезисторов, а на основе пленок аморфного SiC — светодиоды и солнечные элементы.

AISEMICON предлагает к поставке технологические материалы, которые служат основой для производства современной микроэлектроники.

Проводящая
подложка 4″
типа 4H-SiC

Проводящая
подложка 6″
типа 4H-SiC

Проводящая
подложка 8″
типа 4H-SiC

Подложка из оксида галлия 1″

Подложка из оксида галлия 2″

Подложка из оксида галлия4″

ПРОВОДЯЩАЯ ПОДЛОЖКА 4″
ТИПА 4H-SIC

Диаметр: (100,0 + 0,0/-0,5) мм
Толщина: (500,0±25,0) мкм
Проводящий тип: полуизолирующий
Ориентация поверхности кристалла: (0001)
Направление применения: GAN и другая гетерогенная эпитаксия.
Тип продукта: Полировальный лист (Epi ready)

Классификация продукта
«P» промышленный класс«R» исследовательский класс«D» испытательный класс
Тип кристалла4H4H4H
Диаметр(100.0 + 0.0/-0.5) mm(100.0 + 0.0/-0.5) mm(100.0 + 0.0/-0.5) mm
Толщина(500.0 ± 25.0) μm(500.0 ± 25.0) μm(500.0 ± 25.0) μm
Проводящий типПолуизолированныйПолуизолированныйПолуизолированный
Легированные элементы---
Диапазон удельного сопротивления≥1E7 Ω.cm≥1E7 Ω.cm75% зоны ≥ 1E7 Ω.cm
Шероховатость поверхности≤ 0.3 nm (Si-грань); ≤0.5 nm (C-грань )≤ 0.3 nm (Si-грань); ≤0.5 nm (C-грань )≤ 0.3 nm (Si-грань); ≤0.5 nm (C-грань )
Обработка поверхностиДвойная грань CMP, Si-грань Epi readyДвойная грань CMP, Si-грань Epi readyДвойная грань CMP, Si-грань Epi ready
Ширина полупика рентгеновского излучения≤60 arcsec≤100 arcsec≤100 arcsec
Плотность микротрубочек≤1cm-2≤5cm-2≤20cm-2

ПРОВОДЯЩАЯ ПОДЛОЖКА 6″
ТИПА 4H-SIC

Диаметр: (150±0,2) мм
Толщина: (350±25) мкм
Тип проводимости: n-тип
Ориентация поверхности кристалла: (0001) 4 градуса до [11-2 0]
Направление применения: гомогенная эпитаксия SiC.
Тип продукта: Полировальная подушечка (Epi ready)

Классификация продукта
«P» промышленный класс«R» исследовательский класс«D» испытательный класс
Тип кристалла4H4H4H
Диаметр(150.0 ± 0.2) mm(150.0 ± 0.2) mm(150.0 ± 0.2) mm
Толщина(350 ± 25) μm(350 ± 25) μm(350 ± 25) μm
Проводящий типn-типn-типn-тип
Легированные элементыАзот (Nitrogen)Азот (Nitrogen)Азот (Nitrogen)
Диапазон удельного сопротивления0.015 – 0.0280.015 – 0.0280.015 – 0.028（75% зоны)
Шероховатость поверхности≤ 0.3 nm (Si-грань); ≤0.5 nm (C- грань)≤ 0.3 nm (Si-грань); ≤0.5 nm (C- грань)≤ 0.3 nm (Si-грань); ≤0.5 nm (C- грань)
Обработка поверхностиДвойная грань CMP, Si-грань Epi readyДвойная грань CMP, Si-грань Epi readyДвойная грань CMP, Si-грань Epi ready
Ширина полупика рентгеновского излучения≤60 arcsec≤60 arcsec≤60 arcsec
Плотность микротрубочек≤0.5 cm-2≤2 cm-2≤20 cm-2

ПРОВОДЯЩАЯ ПОДЛОЖКА 8″
ТИПА 4H-SIC

Диаметр: (200,0±0,2) мм
Толщина: (500±25) мкм
Проводящий тип: n-тип
Ориентация поверхности кристалла: (0001) 4 градуса до [11-2 0]
Направление применения: гомогенная эпитаксия SiC.
Тип продукта: Полировальная подушечка (Epi ready)

Классификация продукта
«P» промышленный класс«D» испытательный класс
Тип кристалла4H4H
Диаметр(200.0 ± 0.2) mm(200.0 ± 0.2) mm
Толщина(500 ± 25) μm(500 ± 25) μm
Проводящий типn-типn-тип
Легированные элементыАзот (Nitrogen)Азот (Nitrogen)
Диапазон удельного сопротивления0.015 – 0.0280.015 – 0.028（75% зоны)
Шероховатость поверхности≤ 0.2 nm (Si-грань); ≤0.5 nm (C-грань)≤ 0.2 nm (Si-грань); ≤0.5 nm (C-грань)
Обработка поверхностиSi-грань CMP, C-грань оптическая полировкаSi-грань CMP, C-грань оптическая полировка
Ширина полупика рентгеновского излучения≤40 arcsec≤60 arcsec
Плотность микротрубочек≤1 cm-2≤10 cm-2

ПОДЛОЖКА ИЗ ОКСИДА ГАЛЛИЯ 1″

Высококачественные подложки из оксида галлия с кристаллической плоскостью размером 1 дюйм (100) с богатыми типами легирования от GarenSemi.

ЛегированиеUIDSnMg/Fe
Электрические параметры10x16~10x17 cm(-3)~10x18cm(-3)≥10x10Ωcm
Ширина полупика рентгеновского излучения≤150 arcsec≤150 arcsec≤150 arcsec
Плотность дислокаций<1x10x5cm(-2)<1x10x5cm(-2)<1x10x5cm(-2)
Размердиаметр: 25.4±0.5mmтолщина: 0.65±0.02mmтолщина: 0.65±0.02mm
ПоверхностьRa<0.5nmRa<0.5nmRa<0.5nm

ПОДЛОЖКА ИЗ ОКСИДА ГАЛЛИЯ 2″

Высококачественные подложки из оксида галлия с кристаллической плоскостью размером 2 дюйма (100) с богатыми типами легирования от GarenSemi.

ЛегированиеUIDSnMg/Fe
Электрические параметры10x16~10x17 cm(-3)~10x18cm(-3)≥10x10Ωcm
Ширина полупика рентгеновского излучения≤150 arcsec≤150 arcsec≤150 arcsec
Плотность дислокаций<1x10x5cm(-2)<1x10x5cm(-2)<1x10x5cm(-2)
Размердиаметр: 50.8±0.5mmтолщина: 0.65±0.02mmтолщина: 0.65±0.02mm
ПоверхностьRa<0.5nmRa<0.5nmRa<0.5nm

ПОДЛОЖКА ИЗ ОКСИДА ГАЛЛИЯ 4″

Высококачественные подложки из оксида галлия с кристаллической плоскостью размером 2 дюйма (100) с богатыми типами легирования от GarenSemi.

ЛегированиеUIDSnMg/Fe
Электрические параметры10x16~10x17 cm(-3)~10x18cm(-3)≥10x10Ωcm
Ширина полупика рентгеновского излучения≤150 arcsec≤150 arcsec≤150 arcsec
Плотность дислокаций<1x10x5cm(-2)<1x10x5cm(-2)<1x10x5cm(-2)
Размердиаметр: 100.0±0.5mmтолщина: 0.65±0.02mmтолщина: 0.65±0.02mm
ПоверхностьRa<0.5nmRa<0.5nmRa<0.5nm

Выберите необходимое для вас оборудование от AISEMICON.
Наши специалисты помогут вам с выбором и сориентируют по условиям поставки

Вернуться к оборудованию